Высоколинейный амплитудный модулятор

Деколд

Амплитудный модулятор, имеющий хорошую линейность, теоретически может работать при частоте модулирующего сигнала, равной частоте несущей. Транзистор Q1 разделяет модулирующее входное напряжение на два противофазных разнополярных сигнала. Выключатели на транзисторах Q2 и Q3 пропускают соответственно положительные и отрицательные полупериоды прямоугольной несущей. Прерванные модулированные сигналы (точки С и D) суммируются при помощи резисторов R5 и R6.

Амплитудный модулятор, схема которого представлена на фигуре, имеет хорошую линейность и работает при изменении частоты модулирующего сигнала от нуля до половины частоты несущей. Линейность схемы сохраняется вплоть до коэффициента модуляции 97,5%. Связь между отдельными каскадами осуществляется гальванически без применения индуктивностей или больших емкостей.

Транзистор Q1 является расщепителем фазы модулирующего сигнала, РїСЂРё этом сигнал РЅР° эмиттере Q1 имеет фазовый СЃРґРІРёРі Рё амплитуду, несколько меньшую РІС…РѕРґРЅРѕРіРѕ СѓСЂРѕРІРЅСЏ. Постоянная составляющая модулирующего сигнала равна приблизительно -5 Р’ РЅР° эмиттере транзистора Q1 Рё +5 Р’ РЅР° его коллекторе, РіРґРµ фаза сигнала сдвинута РЅР° 180° РїРѕ отношению Рє РІС…РѕРґСѓ. Быстродействующие переключатели РЅР° транзисторах Q2 Рё Q3 попеременно изменяют СЃРІРѕРµ состояние РѕС‚ насыщения РґРѕ запирания РїРѕРґ действием РІС…РѕРґРЅРѕРіРѕ сигнала несущей. Этот сигнал, предпочтительно прямоугольной формы, поступает РЅР° базы транзисторов Q2, Q3 соответственно через резисторы R1, R2 Рё РґРёРѕРґС‹ D1, D2. Диоды защищают транзисторы РѕС‚ повышенного обратного напряжения база-эмиттер, которое может возникнуть РїСЂРё большом СѓСЂРѕРІРЅРµ несущей. Конденсаторы C1 Рё РЎ2 служат для уменьшения времени переключения транзисторов Q2, Q3.

Коллекторы транзисторов Q2, Q3 соединены с выходами фазорасщепителя Q1 через резисторы R3 и R4. Эти резисторы используются для развязки схем модулирующего и модулируемого сигналов. В каждом положительном полупериоде несущей модулирующий сигнал на коллекторе транзистора Q1 переключается от своего среднего значения 5 В до нуля транзистором Q2. В результате этого на коллекторе транзистора Q2 формируется прерывистый модулирующий сигнал. Аналогично модулирующий сигнал на эмиттере транзистора Q1 прерывается транзистором Q3, причем переход транзистора Q3 из запертого состояния в состояние насыщения происходит в течение каждого отрицательного полупериода несущей.

Положительные и отрицательные прерывистые модулирующие сигналы смешиваются в простой суммирующей цепи, состоящей из резисторов R5 и R6. При суммировании компоненты с частотой прерываний, присутствующие в прерывистых модулирующих сигналах, взаимно компенсируются. Таким образом, в случае идеального баланса в спектре выходного модулированного сигнала отсутствуют компоненты с частотой модуляции и присутствуют только боковые составляющие модуляции. Теоретически при этом можно увеличивать частоту модулирующего сигнала до верхнего предела, равного половине частоты несущей, не применяя сложной фильтрации. Огибающая модулированного сигнала находится в этом случае в противофазе по отношению к входному модулирующему сигналу.

Выходное напряжение схемы представляет СЃРѕР±РѕР№ амплитудно-модулированный прямоугольный сигнал, который сам РїРѕ себе содержит нечетные гармоники РѕСЃРЅРѕРІРЅРѕР№ частоты. (Спектр выходного сигнала можно записать РІ РІРёРґРµ nwc±wm)С‚, РіРґРµ wc-частота несущей, wm- частота модулирующего сигнала, Р° Рї=1; 3; 5; ... .) Чтобы получить синусоидальную несущую, выходной сигнал необходимо отфильтровать. Для выделения РѕСЃРЅРѕРІРЅРѕР№ частоты несущей Рё ее боковых составляющих можно применить фильтр нижних частот, поскольку спектр выходного сигнала РЅРµ содержит компоненту СЃ частотой модуляции. Однако для выделения какой-либо гармоники wСЃ необходимо использовать полосовой фильтр.

Частотные свойства модулятора в основном зависят от быстродействия переключающих транзисторов. Для транзисторов, показанных на фигуре, верхняя частота модулированного выходного сигнала составляет 1 МГц. Сам модулятор имеет плоскую частотную характеристику и сохраняет линейность до модулирующей частоты 250 кГц, после чего искажения огибающей становятся заметны даже на глаз. При частоте несущей 100 кГц и частоте модуляции 1 кГц можно получить линейную модуляцию с глубиной до 95%.

В режиме с разомкнутым выходом максимальный размах выходного модулированного сигнала равен 7,4 В при размахе входного модулирующего сигнала 14 В. Минимальный размах несущей на входе модулятора для получения выходного прямоугольного сигнала составляет 2,8 В. Увеличение уровня несущей относительно номинального значения не приводит к появлению каких-либо нежелательных эффектов. Форма модулирующего сигнала может быть произвольной.

В качестве несущей можно использовать также синусоидальный сигнал, однако при этом ухудшается процесс прерывания. Минимальный размах синусоидальной несущей равен 4 В. При частоте несущей 10 кГц и размахе модулирующего сигнала 14 В можно осуществить линейную модуляцию с глубиной до 97,5%.

Минимальный возбуждающий уровень несущей почти не изменяется при более низкой ее частоте. В то же время технические характеристики модулятора несколько ухудшаются на верхних частотах-максимальная глубина линейной модуляции уменьшается и становится равной 94% на 500 кГц и ' 88% на частоте 1 МГц. На верхних частотах также уменьшается уровень выходного сигнала. Для расширения частотного диапазона можно использовать более быстродействующие ключевые транзисторы и уменьшить импедансы каскадов схемы.

Предотвратить уменьшение выходного сигнала на высоких частотах можно также путем повышения питающих напряжений. Максимальная глубина модуляции теоретически ограничена напряжением насыщения прерывающих транзисторов; это напряжение не оказывает столь сильного влияния при высоких питающих напряжениях. Применение подобранных с большой точностью пар резисторов (R3-R4, R5-R6, R7-R8) обеспечивает равенство положительных и отрицательных мгновенных значений выходных модулирующих сигналов.

Колледж в Санта-Фе (Гейнсвилл, шт. Флорида)